Ионно-плазменная установка для комплексной обработки поверхности материалов и изделий "КВИНТА"


Фирма-изготовитель: Лаборатория плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН
Страна происхождения: Россия
Год выпуска: 2012


Назначение

Ионно-плазменная очистка, активация поверхности из-делий, формирование азотированного подслоя, вакуумно-дуговое плазменно-ассистированное напыление функцио-нальных покрытий. Виды покрытий: TiN, CrN, ZrN, TiAlN, AlCrN, AlMgB14, AlTiCrNbMo, (AlTiCrNbMo)N и др., многослойные и градиентные покрытия.

Основные характеристики

Размеры вакуумной камеры 650×650×770 мм
Давление 0.01–1 Па
Скорость нанесения покрытий до 6 мкм/ч
Размеры установки 2500×2500×2000 мм
Потребляемая мощность до 50 кВт
Расход воды для охлаждения 2 м3

Возможности и особенности

  • возможность работы на смеси двух газов;
  • возможность проведения комплексных процессов обработки, включающих ионную очистку, диффузионное насыщение и напыление покрытий
  • возможность одновременного создания газовой и металлической плазмы в одном вакуумном объеме;
  • широкий диапазон параметров;
  • независимая регулировка основных параметров;
  • нанесение твердых и сверхтвердых покрытий с регулируемой in situ стехиометрией;
  • повышение коррозионной стойкости и износостойкости поверхности изделий;
  • возможность одновременного или поочередного использования двух материалов катода;
  • возможность использования композиционных катодов;
  • обработка изделий сложной формы;
  • глубина обработки до 500 мкм;
  • нет специальных требований по размещению установки (низкая величина ускоряющего напряжения, не требуется дополнительная радиационная защита);
  • использование манипулятора позволяет обрабатывать образцы с большой площадью поверхности или партию мелкоразмерных образцов или изделий;
  • увеличенная область однородной обработки изделий;
  • автоматизация управления вакуумной системой;
  • автоматизированная стабилизация рабочего давления;
  • автоматизированная стабилизация состава газовой смеси;
  • автоматизация управления параметрами технологического цикла;
  • возможность создания новых технологических процессов по технологической карте;
  • возможность автоматического проведения заданных технологических процессов.

Контактная информация

Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3

Заведующий лабораторией
плазменной эмиссионной электроники
АХМАДЕЕВ Юрий Халяфович
ahmadeev@opee.hcei.tsc.ru
+8 3822 491713
+7 923 408 6284