УНИКУУМ. Контактная информация


Руководитель работ на УНУ «УНИКУУМ»:

АХМАДЕЕВ Юрий Халяфович
кандидат технических наук
Зав. лабораторией плазменной эмиссионной электроники (ЛПЭЭ)

тел.: 8 (3822) 49-17-13
факс: 8 (3822) 49-24-10
E-mail: ahmadeev@opee.hcei.tsc.ru

Адрес местонахождения УНУ «УНИКУУМ»:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук

634055, г. Томск, пр. Академический, д. 2/3

РОМАНЧЕНКО Илья Викторович
д.ф.-м.н., директор ИСЭ СО РАН

тел. 8 (3822) 900-215
E-mail: riv@lfe.hcei.tsc.ru
Наука

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru