Припутнев Павел Владимирович


Формирование мощных наносекундных высокочастотных импульсов в частично заполненных ферритом коаксиальных линиях с различными дисперсионными свойствами

Общая информация

Научная специальность
1.3.5. "Физическая электроника"
Тип диссертации
диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Организация, в которой выполнена диссертация
ФГБУН Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук
Диссертационный совет
24.1.115.02 (Д 003.031.01)

Сведения о диссертации

Дата размещения объявления
06.07.2024 г.
Дата защиты
10.09.2024 г.
Автореферат
Текст диссертации
Научный руководитель
Романченко Илья Викторович
доктор физико-математических наук
Институт сильноточной электроники СО РАН
Официальные оппоненты
Самсонов Сергей Викторович
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий лабораторией широкополосных гироприборов, отдел электронных приборов, отделение физики плазмы и электроники больших мощностей
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, г. Нижний Новгород

Малютин Николай Дмитриевич
доктор технических наук, профессор кафедры конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры, радиоконструкторского факультета федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники", г. Томск
Ведущая организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук, г. Екатеринбург
Отзывы на автореферат
Результаты публичной защиты
Место проведения защиты
Институт сильноточной электроники СО РАН
634055, г. Томск-55, пр. Академический, 2/3. ИСЭ СО РАН
Телефон
(382-2) 492-586
E-mail
Bagrova@DS.hcei.tsc.ru
Образование

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru