Объявлен конкурс на замещение должности младшего научного сотрудника в лаборатории нелинейной видеоимпульсной локации

Объявлен конкурс

до 8 мая 2024 г.

младшего научного сотрудника (0,5 ставки) в лаборатории нелинейной видеоимпульсной локации
требования к претенденту: наличие опыта научной работы и публикаций по тематике лаборатории.

Прием заявлений на имя директора ИСЭ СО РАН от претендентов на участие в конкурсе.
Дата размещения 22.03.2024
Дата окончания приема заявлений 08.05.2024
Конкурс состоится 22.05.2024 в г. Томске, пр. Академический, 2/3

Аспирантура

В настоящее время Институт осуществляет обучение по программам высшего образования – программам подготовки научно-педагогических кадров по 2 направлениям и 4 профилям.

Целевое обучение

Подробная инструкция по поступлению на целевое обучение по программе аспирантуры

В ИСЭ СО РАН впервые в России реализовали вакуумное магнетронное распыление в непрерывном режиме

Исследователи из Института сильноточной электроники СО РАН предложили уникальную технологию вакуумного магнетронного распыления

Десятилетие науки и технологий

Открылась обновленная экспозиция "Десятилетие науки и технологий" на Международной выставке-форуме "Россия"

ОБЪЯСНЯЕМ.РФ

Правительством РФ запущен интернет-портал портал Объясняем.рф – официальный ресурс для информирования граждан по актуальным вопросам о социально-экономической ситуации в России.

Полученные томскими электрофизиками магнитозвуковые волны помогут в решении проблемы зажигания термоядерной реакции

Коллектив ученых ИСЭ СО РАН под руководством доктора физ.-мат. наук Владимира Орешкина экспериментально зарегистрировал и теоретически описал генерацию магнитозвуковых волн при взрывном сжатии проводников мегаамперными импульсами тока.

EFRE 2024

The 9th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2024)

Национальный проект Наука и университеты

XXI век — время прорывных технологий и невероятных инноваций, создавать которые — профессия завтрашнего дня!

Об Институте за две минуты

Видеоролик об Институте сильноточной электроники СО РАН

СМИ О НАС

Публикации, статьи, видео об институте

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сильноточной электроники
Сибирского отделения Российской академии наук

Россия, 634055, г. Томск, проспект Академический, 2/3

Тел. +7 (3822) 491-544
Факс +7 (3822) 491-410
E-mail: contact@hcei.tsc.ru


vk.com
Разработка и оформление web@hcei.tsc.ru